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Memoria Kingston KVR1333D3S8S9/2G 2GB PC3 10-600 CL9 204-pin

Kingston

Memoria Kingston KVR1333D3S8S9/2G 2GB PC3 10-600 CL9 204-pin SoDimm

KVR1333D3S8S9/2G 2GB

1Rx8 256M x 64 bits PC3-10600 SODIMM CL9 de 204 pines DESCRIPCIÓN Este documento describe los 256 M x 64 bits (2 GB) de ValueRAM. DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM síncrona), memoria 1Rx8 módulo, basado en ocho componentes FBGA DDR3-1333 de 256M x 8 bits entradas El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC Tiempo DDR3-1333 de 9-9-9. Este SODIMM de 204 pines utiliza oro dedos de contacto

Caracteristica

Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)

VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)

667 MHz fCK para 1333 Mb/seg/pin

8 banco interno independiente

Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6

Latencia aditiva programable: 0, CL – 2 o CL – 1 reloj

Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)

Búsqueda previa de 8 bits

Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con dirección inicial “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer o escribir sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o SRA]

Luz estroboscópica bidireccional de datos diferenciales

Calibración interna (auto) : Autocalibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)

Terminación en matriz usando pin ODT

Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85°C, 3.9us a 85°C < TCASE < 95°C

Restablecimiento asíncrono

PCB: Altura 1,18” (30 mm), componente de doble cara

Marca

Tecnología de memoria

DDR3

Capacidad

2 GB

Formato

SODIMM

Velocidad

1333 MHz

Aplicación

Notebooks

Modelo

KVR1333D3S8S9/2G

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